制冷型光電探測器
特點:
自主封裝
可封裝InGaAs雪崩光電探測器也可封裝SI雪崩光電探測器
帶尾纖輸出
應用:
傳感
測量
測距
環境惡劣的工作場所
光電特性:
| 參 數 | 最小值 | 典型值 | 值 | |
| 響應光譜(nm)(InGaAs光電探測器) | 1000 | 1700 | ||
| 響應光譜(nm)(SI光電探測器) | 400 | 1100 | ||
| 響應度(A/W) | λ = 1300nm(InGaAs光電探測器) | 8 | ||
| λ = 850nm(SI光電探測器) | 60 | |||
| 工作電壓(V) | InGaAs光電探測器 | 40 | 60 | |
| SI光電探測器 | 120 | 200 | ||
| TEC工作電壓(V) | 3 | 5 | ||
| TEC工作電流(A) | 0 | 2 | ||
| 工作溫度(℃) | -40 | 70 | ||
| 帶寬(-3dB)(加了前置放大后) | 200MHZ | |||
| 封裝形式 | 蝶形8PIN | |||
| 熱敏電阻類型 | NTC10K/25℃ | |||
| 是否加前置放大 | 可選擇 | |||
note:圖片僅供參考,尺寸以實物為準,具體性能指標見每支器件參數































